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Vishay Siliconix推出兩款功率MOSFET用于植入式醫(yī)療應用

發(fā)布時間:2010-10-27 來源:佳工機電網(wǎng)

醫(yī)療MOSFET系列的產(chǎn)品特性:這是一個圖片

  • 封裝尺寸降至1.6mmx1.6mm
  • 導通電阻降至0.4Ω

醫(yī)療MOSFET系列的應用范圍:

  • 植入式醫(yī)療
  • 醫(yī)療電子領域


新款器件用于植入式醫(yī)療應用,封裝尺寸降至1.6mmx1.6mm,導通電阻降至0.4Ω

日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,將為業(yè)內(nèi)首個用于植入式醫(yī)療應用的功率MOSFET系列增添兩款新器件 --- SMMA511DJ 和 SMMB912DK。這些MOSFET采用強化的工藝流程制造,對制造工藝進行了嚴格控制。

昨天發(fā)布的器件是一款采用PowerPAK® SC-70 (SMMA511DJ)封裝的N溝道和P溝道12V MOSFET,及一款采用PowerPAK SC75 (SMMB912DK)封裝的20V雙N溝道MOSFET。通過對每個批次的產(chǎn)品施加強化的質量控制閥:統(tǒng)計箱限制(SBL)、良品率限制(SYL),對晶圓和器件封裝進行部件平均測試(PAT)控制,以及對所有批次的晶圓進行一致可靠性測試,確保新MOSFET獲得區(qū)別于商用器件的高質量和高可靠性。嚴格的SMM醫(yī)療MOSFET工藝流程還包括0.04%的合格質量標準(AQL)。

新MOSFET的應用將包括送藥系統(tǒng)、除顫器、起搏器、助聽器和其他植入式設備中的負載切換。器件的小封裝尺寸(SMMA511DJ為 2mmx2mm,SMMB912DK為1.6mmx1.6mm)將有助于節(jié)省小型醫(yī)療設備中的空間,同時其低至0.4Ω的超低導通電阻能夠降低傳導損耗,從而延長電池壽命。

關鍵的器件規(guī)格見下表:

關鍵的器件規(guī)格

不斷擴大的Vishay Siliconix SMM醫(yī)療MOSFET系列包括采用各種封裝尺寸的N溝道、P溝道,以及N溝道和P溝道成對配置的器件。

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