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納芯微低功耗數(shù)字溫度傳感器NST112x用于可穿戴類設(shè)備測溫
可穿戴設(shè)備例如智能手表主打智能助理、健康、安全和運(yùn)動等多功能定位深受消費(fèi)者喜愛。后疫情時(shí)代，消費(fèi)者更加關(guān)注自身健康，體溫測量成為了健康監(jiān)測管理和多維預(yù)防的重要手段。人們可以通過具有體溫測量功能的可穿戴設(shè)備隨時(shí)隨地了解自身健康狀況，實(shí)現(xiàn)自我防護(hù)。
2022-10-25
納芯微 溫度傳感器 可穿戴
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使用低靜態(tài)電流小型器件準(zhǔn)確測量生命體
眼下，“便攜式未來”似乎近在咫尺，曾經(jīng)龐大笨重的設(shè)備如今已變得輕巧便攜。我在個(gè)人電子產(chǎn)品上對此有著親身體會：以前的手機(jī)又重又慢，而現(xiàn)在的手機(jī)不僅外形纖薄，運(yùn)行速度快，而且電池壽命也越來越長。
2022-10-25
血糖檢測儀 REF35 TI
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開關(guān)模式電源電路板布局的黃金法則
本文介紹有關(guān)實(shí)現(xiàn)優(yōu)化電路板布局的基礎(chǔ)知識，在設(shè)計(jì)開關(guān)模式電源時(shí)，優(yōu)化電路板布局是一個(gè)重要方面。合理布局可以確保開關(guān)穩(wěn)壓器保持穩(wěn)定工作，并盡可能降低輻射干擾和傳導(dǎo)干擾(EMI)。這一點(diǎn)電子開發(fā)人員都很清楚。但是，大家并不知道，開關(guān)模式電源的優(yōu)化電路板布局應(yīng)該是什么樣子的。
2022-10-19
開關(guān)電源 電路板 布局
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具有集成電容器的降壓穩(wěn)壓器如何幫助降低EMI和節(jié)省布板空間
在實(shí)現(xiàn)高效緊湊設(shè)計(jì)的同時(shí)遵守國際無線電干擾特別委員會 (CISPR) 等組織提出的嚴(yán)格電磁干擾 (EMI) 要求是一項(xiàng)挑戰(zhàn)。因此，元件的選擇成為設(shè)計(jì)過程的關(guān)鍵。與大多數(shù)設(shè)計(jì)決策一樣，在不同元件之間進(jìn)行選擇幾乎總是歸結(jié)為基于關(guān)鍵設(shè)計(jì)目標(biāo)的權(quán)衡評估。降壓穩(wěn)壓器以高效率和良好的熱性能著稱，但通常不...
2022-10-18
電容器 降壓穩(wěn)壓器 EMI
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可穿戴設(shè)備中的傳感器：尺寸越來越“小”，左右越來越“大”！
市場上的可穿戴設(shè)備五花八門，歸結(jié)起來主要分為兩類：醫(yī)用可穿戴設(shè)備、健身穿戴設(shè)備。其中，醫(yī)用可穿戴設(shè)備是直接支持醫(yī)生監(jiān)測和治療患者的設(shè)備，所有這些設(shè)備在上市前必須經(jīng)過醫(yī)療主管部門的批準(zhǔn)。對于健身穿戴設(shè)備而言，其主要應(yīng)用也可以說是用于醫(yī)療保健，只不過它們收集的數(shù)據(jù)大多用于運(yùn)動健康...
2022-10-17
可穿戴設(shè)備 傳感器 貿(mào)澤電子
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MOS管的Miller 效應(yīng)
本文對于 MOS 管工作在開關(guān)狀態(tài)下的 Miller 效應(yīng)的原因與現(xiàn)象進(jìn)行了分析。巧妙的應(yīng)用 Miller 效應(yīng)可以實(shí)現(xiàn)電源的緩啟動。
2022-10-12
MOS管 米勒效應(yīng)
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如何應(yīng)對不間斷電源(UPS)設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)
電池供電的不間斷電源(UPS)在保護(hù)數(shù)據(jù)中心、醫(yī)療設(shè)施、工廠、電信樞紐甚至家庭中的敏感設(shè)備免受短期電網(wǎng)尖峰和停電影響方面非常重要。在停電時(shí)間較長的情況下，它們能夠提供必要的短期電力，以實(shí)現(xiàn)有準(zhǔn)備的斷電，防止數(shù)據(jù)丟失。
2022-09-29
不間斷電源 電路設(shè)計(jì)
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電源設(shè)計(jì)器件布局和布線要點(diǎn)
在電源設(shè)計(jì)中，精心的布局和布線對于能否實(shí)現(xiàn)出色設(shè)計(jì)至關(guān)重要，要為尺寸、精度、效率留出足夠空間，以避免在生產(chǎn)中出現(xiàn)問題。我們可以利用多年的測試經(jīng)驗(yàn)，以及布局工程師具備的專業(yè)知識，最終完成電路板生產(chǎn)。
2022-09-26
電源設(shè)計(jì) 布局
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什么是dV/dt失效
如下圖（2）所示，dV/dt失效是由于MOSFET關(guān)斷時(shí)流經(jīng)寄生電容Cds的瞬態(tài)充電電流流過基極電阻RB，導(dǎo)致寄生雙極晶體管的基極和發(fā)射極之間產(chǎn)生電位差VBE，使寄生雙極晶體管導(dǎo)通，引起短路并造成失效的現(xiàn)象。通常，dV/dt越大（越陡），VBE的電位差就越大，寄生雙極晶體管越容易導(dǎo)通，從而越容易發(fā)生失效...
2022-09-22
dV/dt失效 MOSFET
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