產(chǎn)品特性：
- 3.3V供電電壓
- 采用0.25μm CMOS技術，相位噪聲性能優(yōu)異
- 具有四種可供選擇的輸出頻率
- 集成的1:2扇出緩沖器
- 采用無鉛TSSOP-16封裝
- 分別產(chǎn)生一組和兩組差動HCSL輸出時鐘
應用范圍：
- PCI Express、千兆位以太網(wǎng)(GbE)
- 雙列直插內(nèi)存模塊(FBDIMM)應用
安森美半導體 (ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)擴展其PureEdge高性能時鐘產(chǎn)生產(chǎn)品系列，推出NB3N3002和NB3N5573這兩款新器件。
NB3N3002和NB3N5573是3.3伏(V)時鐘產(chǎn)生器，生成頻率可在25、100、125和200兆赫(MHz)之間選擇的主時鐘信令等級(HCSL)和亞皮秒(ps)抖動的優(yōu)質(zhì)時鐘。這些器件非常適合于PCI Express、千兆位以太網(wǎng)(GbE)和雙列直插內(nèi)存模塊(FBDIMM)應用。與標準的晶體振蕩器和硅基競爭時鐘產(chǎn)生器件相比，PureEdge架構提供更高的設計靈活性及更低的系統(tǒng)成本。
NB3N3002生成一組差動HCSL輸出時鐘，NB3N5573則提供雙輸出。這兩款器件采用先進的0.25微米(μm) CMOS技術，相位噪聲性能大幅超越競爭器件，可與昂貴的表面聲波(SAW)晶體振蕩器相媲美。這些器件以低成本25 MHz晶體生成的高質(zhì)量時鐘具有四種可供選擇的輸出頻率和集成的1:2扇出緩沖器(NB3N5573)。在100千赫(kHz)載波頻率偏移處，NB3N5573提供的相位噪聲為130 dBc/Hz(每1赫帶寬內(nèi)單邊帶相位噪聲功率與載波功率之比)。
與安森美半導體所有的PureEdge器件相似，這些新的時鐘產(chǎn)生器為系統(tǒng)設計人員省下更多的珍貴時序預算，并提供真正的設計靈活性。硅基時鐘產(chǎn)生IC，如NB3N3002和NB3N5573本質(zhì)上比昂貴的晶體振蕩器更易于制造，故能降低總體系統(tǒng)成本，并大幅縮短產(chǎn)品上市時間。NB3N5573與功能相競爭的器件ICS557-03引腳兼容，能夠替代這器件。在沒有采用擴頻功能下，NB3N5573提供更佳的抖動性能，使其在不需要同步狀態(tài)信息(SSM) 下更發(fā)揮價值。
NB3N3002和NB3N5573采用5.0 mm × 4.4 mm無鉛TSSOP-16封裝，每2,500片的批量預算單價為1.80美元。
