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STC03DE220HV：意法半導(dǎo)體用于三相電源的低功耗ESBT開(kāi)關(guān)
意法半導(dǎo)體宣布推出STC03DE220HV ESBT（發(fā)射極開(kāi)關(guān)雙極晶體管）功率開(kāi)關(guān)，新產(chǎn)品使設(shè)計(jì)工程師能夠提高單相和三相應(yīng)用輔助開(kāi)關(guān)電源的能效，降低產(chǎn)品的成本、組件數(shù)量和尺寸。
2008-05-21
STC03DE220HV ESBT 發(fā)射極開(kāi)關(guān)雙極晶體管
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MAX4996/MAX4996L：Maxim SDHC和SDIO復(fù)用三路DPDT開(kāi)關(guān)
Maxim推出三路雙刀雙擲(DPDT)開(kāi)關(guān)MAX4996/MAX4996L，可切換多路高達(dá)670MHz的高頻信號(hào)。器件具有極低的導(dǎo)通電阻(典型值為2.0Ω)、導(dǎo)通電容(典型值為6pF)和功耗(典型值為3μA)，從而能夠?qū)崿F(xiàn)高頻切換。
2008-05-19
MAX4996 MAX4996L 三路雙刀雙擲(DPDT)開(kāi)關(guān)
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BU25/BU20/BU15/BU12/BU10：Vishay新型整流器系列
Vishay宣布推出增強(qiáng)型高電流密度 PowerBridge整流器的新系列，這些器件的額定電流為 10 A 至 25 A，最大額定峰值反向電壓為 600 V 至 1000 V。
2008-05-16
BU25 BU20 BU15 BU12 BU10 整流器
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MAX4983E/MAX4984E：Maxim高速USB DPDT開(kāi)關(guān)
Maxim推出雙刀雙擲(DPDT)模擬開(kāi)關(guān)MAX4983E/MAX4984E，可切換多路480Mbps高速USB (USB 2.0)信號(hào)。器件具有極低的導(dǎo)通電阻(典型值為5Ω)和較高的帶寬(950MHz)，允許采用單個(gè)連接器實(shí)現(xiàn)高性能的切換。
2008-05-15
MAX4983E MAX4984E 高速USB (USB 2.0) DPDT開(kāi)關(guān)
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SMM4F：意法半導(dǎo)體超小Transil瞬變電壓抑制二極管系列
意法半導(dǎo)體推出SMM4F系列單向Transil瞬變電壓抑制二極管，新系列產(chǎn)品在三個(gè)主要方面提高性能：在小空間內(nèi)提供先進(jìn)的保護(hù)功能、降低泄漏電流實(shí)現(xiàn)低損耗、結(jié)溫最大化以提升可靠性。
2008-05-15
SMM4F 二極管 diode 消費(fèi)電子
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STGxL6NC60D：意法半導(dǎo)體新款I(lǐng)GBT系列
意法半導(dǎo)體推出一系列新的IGBT，新系列產(chǎn)品采用高效的壽命控制工藝，有效降低了關(guān)斷期間的能耗。如果設(shè)計(jì)工程師采用ST的全新IGBT,用于工作頻率超過(guò)20kHz的照明鎮(zhèn)流器等節(jié)能型電路內(nèi)，應(yīng)用的整體功率可望提高到一個(gè)新的水平，遠(yuǎn)勝標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)的MOSFET。
2008-05-13
STGxL6NC60D 絕緣柵雙極晶體管 IGBT 開(kāi)關(guān)電源
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DG系列：Vishay八款高精度儀表應(yīng)用模擬多路復(fù)用器與開(kāi)關(guān)
日前，Vishay推出八款面向高精度儀表應(yīng)用的新型高頻、低電荷注入模擬多路復(fù)用器與開(kāi)關(guān)。這些產(chǎn)品還是同類(lèi)器件中首批除標(biāo)準(zhǔn) TSSOP 與 SOIC 封裝外還提供采用 1.8mm×2.6mm 無(wú)引線(xiàn)微型 QFN 封裝的器件。
2008-05-12
DG604 DG4052A DG4051A DG4053A DG611A DG612A DG613 DG636 多路復(fù)用器與開(kāi)關(guān)
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NBXxxxx：安森美高性能單頻和雙頻晶體振蕩器模塊
安森美半導(dǎo)體擴(kuò)充了高性能時(shí)鐘和數(shù)據(jù)管理產(chǎn)品系列，推出九款基于鎖相環(huán)(PLL)的新PureEdge時(shí)鐘模塊，替代晶體振蕩器(XO)。NBXxxxx系列非常適用于高速網(wǎng)絡(luò)、電信和高端計(jì)算應(yīng)用。
2008-05-07
PLL PureEdge NBXxxxx 通信應(yīng)用 振蕩器
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STW55NM60ND：意法半導(dǎo)體快速恢復(fù)MOSFET產(chǎn)品
意法半導(dǎo)體推出快速恢復(fù)MOSFET晶體管新產(chǎn)品系列，用于包括再生能源控制器在內(nèi)的以能效為中心的應(yīng)用需求。新產(chǎn)品在現(xiàn)有產(chǎn)品的基礎(chǔ)上提高了開(kāi)關(guān)性能，同時(shí)還使導(dǎo)通電阻實(shí)現(xiàn)超過(guò)18%的降幅。
2008-05-06
STW55NM60ND MOSFET 場(chǎng)效應(yīng)管
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