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功率器件熱設計基礎（四）——功率半導體芯片溫度和測試方法
功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統成本，并保證系統的可靠性。
2024-11-23
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功率器件的熱設計基礎（二）——熱阻的串聯和并聯
功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統成本，并保證系統的可靠性。
2024-11-12
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功率器件熱設計基礎（一）——功率半導體的熱阻
功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統成本，并保證系統的可靠性。
2024-11-11
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如何使用GaNFET設計四開關降壓－升壓DC－DC轉換器？
在不斷追求減小電路板尺寸和提高效率的征途中，氮化鎵場效應晶體管(GaNFET)功率器件已成為破解目前難題的理想選擇。GaN是一項新興技術，有望進一步提高功率、開關速度以及降低開關損耗。這些優(yōu)勢讓功率密度更高的解決方案成為可能。
2024-11-04
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第8講：SiC外延生長技術
SiC外延生長技術是SiC功率器件制備的核心技術之一，外延質量直接影響SiC器件的性能。目前應用較多的SiC外延生長方法是化學氣相沉積（CVD），本文簡要介紹其生產過程及注意事項。
2024-11-04
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遠山半導體發(fā)布新一代高壓氮化鎵功率器件
氮化鎵功率器件因其高速開關能力、高功率密度和成本效益而成為市場的熱門選擇。然而，由于工作電壓和長期可靠性的制約，這些器件的潛力并未得到充分發(fā)揮，主要在消費電子領域內競爭價格。近期，隨著高壓氮化鎵器件的陸續(xù)推出，我們看到了它們在更廣泛市場應用中的潛力。
2024-11-01
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【泰克先進半導體實驗室】 遠山半導體發(fā)布新一代高壓氮化鎵功率器件
氮化鎵功率器件因其高速開關能力、高功率密度和成本效益而成為市場的熱門選擇。然而，由于工作電壓和長期可靠性的制約，這些器件的潛力并未得到充分發(fā)揮，主要在消費電子領域內競爭價格。近期，隨著高壓氮化鎵器件的陸續(xù)推出，我們看到了它們在更廣泛市場應用中的潛力。
2024-10-20
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IGBT 還是 SiC ? 英飛凌新型混合功率器件助力新能源汽車實現高性價比電驅
近幾年新能源車發(fā)展迅猛，技術創(chuàng)新突飛猛進。如何設計更高效的牽引逆變器使整車獲得更長的續(xù)航里程一直是研發(fā)技術人員探討的最重要話題之一。高效的牽引逆變器需要在功率、效率和材料利用率之間取得適當的平衡。
2024-09-25
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第4講：SiC的物理特性
SiC作為半導體功率器件材料，具有許多優(yōu)異的特性。4H-SiC與Si、GaN的物理特性對比見表1。與Si相比，4H-SiC擁有10倍的擊穿電場強度，可實現高耐壓。與另一種寬禁帶半導體GaN相比，物理特性相似，但在p型器件導通控制和熱氧化工藝形成柵極氧化膜方面存在較大差異，4H-SiC在多用途功率MOS晶體管的制備方面具有優(yōu)勢。此外，由于GaN是直接躍遷型半導體，少數載流子壽命較短，因此通過電導調制效應來實現低導通電阻器件的效果并不理想。
2024-09-11
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如何“榨干”SiC器件潛能？這幾種封裝技術提供了參考范例
隨著全球對可再生能源和清潔電力系統的需求不斷增長，光儲充一體化市場為實現能源的高效利用和優(yōu)化配置提供了創(chuàng)新解決方案。在此趨勢引領下，碳化硅（SiC）產業(yè)生態(tài)正迅速發(fā)展，逐漸成為替代傳統硅基功率器件的有力市場競爭者。
2024-09-03
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OBC設計不斷升級，揭秘如何適應更高功率等級和電壓
消費者需求不斷攀升，電動汽車(EV)必須延長續(xù)航里程，方可與傳統的內燃機(ICE)汽車相媲美。解決這個問題主要有兩種方法：在不顯著增加電池尺寸或重量的情況下提升電池容量，或提高主驅逆變器等關鍵高功率器件的運行能效。為應對電子元件導通損耗和開關損耗造成的巨大功率損耗，汽車制造商正在通過提高電池電壓來增加車輛的續(xù)航里程。
2024-08-22
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不斷改進 OBC 設計，適應更高的功率等級和電壓
消費者需求不斷攀升，電動汽車 (EV) 必須延長續(xù)航里程，方可與傳統的內燃機 (ICE) 汽車相媲美。解決這個問題主要有兩種方法：在不顯著增加電池尺寸或重量的情況下提升電池容量，或提高主驅逆變器等關鍵高功率器件的運行能效。
2024-08-08
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