【導讀】前段時間被問到在高速電路中，到底介質(zhì)損耗大還是導體損耗大，這個問題比較有意思，這里涉及到了兩個比較概念，一個是高速電路，一個是損耗。
以前有介紹過，高速電路是一個比較泛的概念，有的人認為幾十MHz的電路就叫高速電路，有的認為電路傳遞信號的上升時間是傳輸線傳輸延時的1/4（1/6）的電路叫高速電路，還有的認為速率達到GHz以上的電路才叫高速電路。
而損耗是指能量的衰減。那在高速電路中能量衰減的形式比較多，常見的就是標題上所說的介質(zhì)損耗和導體損耗，還包括大家容易忽略的輻射損耗，當然，能量是守恒的，也可能還有其它類型的損耗存在。
還是回到本文要介紹的介質(zhì)損耗和導體損耗這個問題上來。介質(zhì)損耗指的是指介質(zhì)材料在電場作用下，由于介質(zhì)電導和介質(zhì)極化的滯后效應，在其內(nèi)部引起的能量損耗。這主要與PCB介質(zhì)的損耗因子有關。導體損耗是指導體不理想，存在直流電阻，在電流通過時發(fā)熱而引起的損耗，這主要與PCB導體的趨膚效應、粗糙度和導電率（電阻率）有關系。
那到底哪種損耗大呢？可以通過一個電路來研究下現(xiàn)象（聲明：本實驗并不是特別嚴謹，僅限于解釋這個問題現(xiàn)象），電路結構如下圖所示：
注：綠色圈中的是介質(zhì)損耗相關的參數(shù)，紅色圈中是導體損耗相關的參數(shù)（注：傳輸線的物理結構保持一致，他們其實都與損耗有關系）。
當只考慮介質(zhì)損耗時,Cond=5.8e70,Rough=0 um,TanD=0.02；當只考慮導體損耗時,Cond=5.8e7,Rough=2 um,TanD=0。仿真結果如下：
所以從上面的仿真對比結果中可以看到，介質(zhì)損耗和導體損耗在不同的頻率段的時候，其貢獻的大小不一樣。因為影響介質(zhì)損耗的損耗因子就隨著頻率的變化而變化，如下圖所示：
同樣，趨膚效應的影響也隨著頻率的變化而變化，頻率越高，趨膚深度也越大。
綜上所述，在高速電路中到底是介質(zhì)損耗大還是導體損耗大這個問題無法一概而論，需要根據(jù)實際情況而定。
本文轉(zhuǎn)載自信號完整性。
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