【導(dǎo)讀】許多中高壓MOSFET（250V及以上）具有平面MOS（π-MOS）結(jié)構(gòu)，而小于200V的產(chǎn)品大多具有溝槽MOS（U-MOS）結(jié)構(gòu)。因此，當(dāng)耐受電壓VDSS＝600V時(shí)，Rdrift成為主導(dǎo)因素，當(dāng)耐受電壓是30V時(shí)，因素Rch的比例較高。
（1）MOSFET器件結(jié)構(gòu)將根據(jù)要求的耐受電壓來(lái)選擇。確定導(dǎo)通電阻RDS(ON)的因素如圖3-7和方程式3-（1）所示。根據(jù)器件的結(jié)構(gòu)，決定導(dǎo)通電阻的因素比例將發(fā)生變化。
（2）例如，許多中高壓MOSFET（250V及以上）具有平面MOS（π-MOS）結(jié)構(gòu)，而小于200V的產(chǎn)品大多具有溝槽MOS（U-MOS）結(jié)構(gòu)。因此，當(dāng)耐受電壓VDSS＝600V時(shí)，Rdrift成為主導(dǎo)因素，當(dāng)耐受電壓是30V時(shí)，因素Rch的比例較高。
圖3-7（a）D-MOS的導(dǎo)通電阻決定因素
圖3-7（b）溝槽MOS的導(dǎo)通電阻決定因素
RDS(ON）＝Rsub＋Rdrift＋RJ-FET＋Rch＋RN＋
RDS(ON)＝Rsub＋Rdrift＋Rch＋RN＋???方程式3-（1）
如果是VDSS＝600V，順序?yàn)镽drift >> Rch > RJ-FET，RN+，Rsub和RDS(ON)取決于Rdrift
如果是VDSS＝30V，順序?yàn)镽ch >> Rdrift > RN+，Rsub。溝槽MOS結(jié)構(gòu)的精細(xì)圖形化可以最大限度降低RDS(ON)對(duì)Rch的依賴(lài)性
（來(lái)源：東芝半導(dǎo)體）
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