【導(dǎo)讀】中科院電子研究所在N型和P型 MOS 電容上取得了 EOT≦8.5 、漏電流降低3個數(shù)量級以及金屬閘主動功函數(shù)距硅晶能隙距離≦0.2eV的成果，成功研發(fā)出組件性能進(jìn)一步提升的22nm MOSFET 組件。
中國科學(xué)院微電子研究所(IMECAS)宣布在22奈米 CMOS制程上取得進(jìn)展，成功制造出高K金屬閘 MOSFET 。中科院指出，中國本土設(shè)計(jì)與制造的22nm組件展現(xiàn)出更高性能與低功耗。
根據(jù)中科院微電子研究所集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)中心表示，這項(xiàng)研發(fā)項(xiàng)目并結(jié)合來自北京大學(xué)、清華大學(xué)、復(fù)旦大學(xué)以及中科院微系統(tǒng)所的研究人員們經(jīng)過3年的共同努力，于近期取得了突破性進(jìn)展。
針對22nm CMOS技術(shù)節(jié)點(diǎn)的挑戰(zhàn)，該產(chǎn)學(xué)研發(fā)團(tuán)隊(duì)在N型和P型 MOS 電容上取得了 EOT≦8.5 、漏電流降低3個數(shù)量級以及金屬閘主動功函數(shù)距硅晶能隙距離≦0.2eV的成果，成功研發(fā)出組件性能進(jìn)一步提升的22nm MOSFET 組件。
中科院微電子研究所與微系統(tǒng)所、北京大學(xué)、清華大學(xué)、復(fù)旦大學(xué)的開發(fā)團(tuán)隊(duì)們已完成了1369項(xiàng)專利申請(國際專利申請424項(xiàng))，其中高K/金屬閘極制程及相關(guān)專利、金屬堆棧結(jié)構(gòu)及其它專利已開始在中國制造廠導(dǎo)入開發(fā)。
中科院指出，導(dǎo)入中國自行開發(fā)的22nm IC技術(shù)，將可為中國節(jié)省進(jìn)口國外芯片或制程技術(shù)的龐大費(fèi)用，并提升中國國產(chǎn)IC的競爭力。
22/20-nm先進(jìn)制程技術(shù)才剛導(dǎo)入商用領(lǐng)域，該技術(shù)之以受到重視要在于它能為智能型手機(jī)與平板計(jì)算機(jī)降低功耗，從而實(shí)現(xiàn)更長的電池壽命。然而，中國在22nm晶體管技術(shù)開發(fā)道路上約落后西方2-4年。英特爾(Intel)先前已量產(chǎn)22nm FinFET 制程組件，而臺積電(TSMC)也預(yù)計(jì)將在2013年量產(chǎn)20nm 平面 CMOS 制程。
多年來，在 CoCom 輸出條款以及 Wassennaar 協(xié)議的限制下，中國先進(jìn)電子制造技術(shù)領(lǐng)域一直因?yàn)闊o法取得外來高科技產(chǎn)品與技術(shù)而使其發(fā)展受阻。然而，近年來，中國已透過一系列的外來制技術(shù)授權(quán)以及自我教育而逐漸迎頭趕上。中國本土的晶圓代工廠中芯國際(SMIC)目前已有能力提供商用40nm CMOS 制程。
根據(jù)中國新華社的報導(dǎo)，中國展開先進(jìn)22nm晶體管制造屬于2009年國家重大科技專項(xiàng)的一部份。
