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醫(yī)療電子領(lǐng)域電感器應(yīng)用指南
世界衛(wèi)生組織報(bào)告指出，老年人口在全球人口中的占比近 22%。人口老齡化的快速增長(zhǎng)和慢性病發(fā)病率的增加進(jìn)一步推動(dòng)了對(duì)醫(yī)療電子設(shè)備的需求，從而也加速了醫(yī)療電源市場(chǎng)的整體增長(zhǎng)。市場(chǎng)調(diào)查數(shù)據(jù)顯示，2021 年全球醫(yī)療電源市場(chǎng)價(jià)值 13.9 億美元，預(yù)計(jì)到 2029 年將達(dá)到 24.7 億美元，在 2022-2029 年的...
2023-02-17
醫(yī)療電子 電感器 應(yīng)用指南
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聊聊那些為科技體育賦能的射頻技術(shù)
回顧2022年，全球共舉辦了40余場(chǎng)大型體育賽事，其中，倍受?chē)?guó)人關(guān)注的賽事應(yīng)該非卡塔爾世界杯和北京冬奧會(huì)莫屬了。除了賽事本身，“科技”的深度應(yīng)用也成為它們能快速出圈的重要原因。
2023-02-14
科技體育 射頻技術(shù)
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了解這個(gè)參數(shù) 是用好鋁電解電容的關(guān)鍵
有關(guān)鋁電解電容器的 MTBF (平均故障間隔)參數(shù)的問(wèn)題是 Digi-Key 從客戶(hù)處收到的常見(jiàn)請(qǐng)求。簡(jiǎn)而言之，鋁電解電容器的 MTBF 額定值。這些電容器包含多種材料，因此它們的額定壽命以小時(shí)為單位。在不同條件下，零件的預(yù)期壽命會(huì)發(fā)生變化。例如，Digi-Key 供應(yīng)商 United Chemi Con 對(duì)鋁電解電容器的MTBF...
2023-02-14
參數(shù) 鋁電解電容
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使用電容式觸控傳感器的輸液液位監(jiān)測(cè)儀
近年來(lái)，許多行業(yè)都出現(xiàn)了人手不足的問(wèn)題，特別是醫(yī)療崗位受新冠肺炎影響人員比較緊張的相關(guān)新聞時(shí)有報(bào)道。作為解決上述人手不足的手段之一，通過(guò)物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備傳感器獲取數(shù)據(jù)進(jìn)行遠(yuǎn)程監(jiān)控的事例正在不斷增加。然而，在開(kāi)發(fā)物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備時(shí)，想必有不少用戶(hù)曾為選擇最適合的單片機(jī)、傳感器和通信模塊等部...
2023-02-10
電容觸控 傳感器 液位監(jiān)測(cè)儀
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適用于低功耗信號(hào)鏈應(yīng)用的功率優(yōu)化技術(shù)
本文介紹用于在低功耗信號(hào)鏈應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)優(yōu)化能效比的精密低功耗信號(hào)鏈解決方案和技術(shù)。本文將介紹功耗調(diào)節(jié)、功率循環(huán)和占空比等用于進(jìn)一步降低系統(tǒng)功耗的技術(shù)（不僅限于選擇低功耗產(chǎn)品，這有時(shí)并不夠）。還將探討如何使用通道時(shí)序控制器、FIFO和電壓監(jiān)控模塊等片內(nèi)特性來(lái)簡(jiǎn)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)，并在主機(jī)控制...
2023-02-09
信號(hào)鏈 應(yīng)用 功率優(yōu)化
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恒電勢(shì)器模塊支持實(shí)現(xiàn)電化學(xué)生物傳感器護(hù)理點(diǎn)診斷
新冠病毒的出現(xiàn)，引發(fā)了人們對(duì)電化學(xué)生物傳感器的興趣和隨之而來(lái)的創(chuàng)新浪潮。借助更好的生物檢測(cè)傳感器和讀取器，醫(yī)療保健提供者能夠更快做出正確的診斷和治療，不止是針對(duì)新冠，還包括從瘧疾和結(jié)核病到細(xì)菌性感染等許多其他疾病。并不是說(shuō)，電化學(xué)生物傳感器創(chuàng)新者們忽略了這一需求，但這期間出現(xiàn)...
2023-02-06
恒電勢(shì)器 傳感器 ADI
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關(guān)于射頻識(shí)別(RFID)無(wú)線(xiàn)系統(tǒng)
射頻識(shí)別（RFID）系統(tǒng)使用無(wú)線(xiàn)電波來(lái)識(shí)別物體，并使用閱讀器與標(biāo)簽進(jìn)行通信。標(biāo)簽物理附著在可識(shí)別或可跟蹤的對(duì)象上。
2023-02-03
RFID 無(wú)線(xiàn)系統(tǒng)
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SiC MOSFET真的有必要使用溝槽柵嗎？
眾所周知，“挖坑”是英飛凌的祖?zhèn)魇炙?。在硅基產(chǎn)品時(shí)代，英飛凌的溝槽型IGBT（例如TRENCHSTOP系列）和溝槽型的MOSFET就獨(dú)步天下。在碳化硅的時(shí)代，市面上大部分的SiC MOSFET都是平面型元胞，而英飛凌依然延續(xù)了溝槽路線(xiàn)。難道英飛凌除了“挖坑”，就不會(huì)干別的了嗎？非也。因?yàn)镾iC材料獨(dú)有的特性，SiC ...
2023-01-27
SiC MOSFET 溝槽柵
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精細(xì)之至，方顯英雄本色——保證源表測(cè)量精度的小秘籍
精準(zhǔn)的測(cè)試，幾乎是所有工程師測(cè)試工作永恒的追求目標(biāo)。但這絕非易事，特別是小信號(hào)的測(cè)量。例如，半導(dǎo)體器件、材料、醫(yī)療、MEMS、發(fā)光器件等，需要測(cè)量精確伏安（I-V）特性曲線(xiàn)、絕緣特性、電容漏電流、暗電流等小信號(hào)，源表往往是首選。
2023-01-20
源表測(cè)量 KEYSIGHT
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