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讓電動汽車延長5%里程的SiC主驅(qū)逆變器
本文闡述了如何在主驅(qū)逆變器中使用碳化硅 (SiC) 金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 將電動汽車的續(xù)航里程延長多達(dá) 5%。另外，文中還討論了為什么一些原始設(shè)備制造商 (OEM) 不愿意從硅基絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 過渡到 SiC 器件，以及安森美 (onsemi) 為緩解 OEM 的擔(dān)憂同時提升 OEM 對這種成...
2023-11-12
SiC 逆變器 電動汽車
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能實現(xiàn)更高的電流密度和系統(tǒng)可靠性的IGBT模塊
隨著全球?qū)稍偕茉吹娜找骊P(guān)注以及對效率的需求，高效率，高可靠性成為功率電子產(chǎn)業(yè)不斷前行的關(guān)鍵。Nexperia（安世半導(dǎo)體）的 IGBT 產(chǎn)品系列優(yōu)化了開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗, 兼顧馬達(dá)驅(qū)動需求的高溫短路耐受能力，實現(xiàn)更高的電流密度和系統(tǒng)可靠性。
2023-11-12
IGBT模塊 馬達(dá)驅(qū)動 應(yīng)用
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專為智能汽車車身域打造的直流有刷柵極驅(qū)動IC
TMI8721-Q1是一顆驅(qū)動外部4個N溝通MOSFET的單通道全橋柵極驅(qū)動芯片。優(yōu)秀的驅(qū)動能力，使其可驅(qū)動大部分MOSFET，特別適用于汽車座椅自動調(diào)節(jié)，后尾門撐桿，玻璃升降、天窗、遮陽簾、門窗、方向盤調(diào)節(jié)、側(cè)滑門、電動踏板等電流偏大的場合。
2023-11-12
智能汽車 車身域 柵極驅(qū)動
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SiC MOSFET 器件特性知多少？
對于高壓開關(guān)電源應(yīng)用，碳化硅或 SiC MOSFET 與傳統(tǒng)硅 MOSFET 和 IGBT 相比具有顯著優(yōu)勢。開關(guān)超過 1,000 V的高壓電源軌以數(shù)百 kHz 運行并非易事，即使是最好的超結(jié)硅 MOSFET 也難以勝任。IGBT 很常用，但由于其存在“拖尾電流”且關(guān)斷緩慢，因此僅限用于較低的工作頻率。因此，硅 MOSFET 更適合低壓...
2023-11-12
SiC MOSFET 器件特性
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助力小型資產(chǎn)跟蹤器實現(xiàn)更長時間續(xù)航
本文介紹一種典型的資產(chǎn)跟蹤解決方案，展示MAX3864x nanopower降壓轉(zhuǎn)換器系列如何憑借其小尺寸、高效率優(yōu)勢，在小型便攜式設(shè)備中實現(xiàn)更長的電池壽命。新興的低功耗數(shù)據(jù)連接技術(shù)部署成本低，由此涌現(xiàn)了多種資產(chǎn)跟蹤解決方案。多個應(yīng)用領(lǐng)域都見證了這一點，運輸和供應(yīng)鏈管理行業(yè)尤其明顯。
2023-11-11
資產(chǎn)跟蹤器 續(xù)航
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設(shè)計機(jī)器人電源架構(gòu)前需要考慮的6個問題
移動機(jī)器人產(chǎn)業(yè)正在迅速發(fā)展壯大。到 2023 年【世界機(jī)器人 2020】，預(yù)計市場價值將接近 300 億美元，在不久的將來，制造的機(jī)器人將通過解決眾所周知以及尚未發(fā)現(xiàn)的問題來解決各種市場問題。它們所執(zhí)行的任務(wù)已不僅僅是從 A 點移動到 B 點：他們可根據(jù)環(huán)境輸入數(shù)據(jù)以及他們自己的任務(wù)參數(shù)做出實時決策。
2023-11-11
機(jī)器人 電源架構(gòu)
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如何克服快速、高效的電動汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施的設(shè)計挑戰(zhàn)
電動汽車 (EV) 充電解決方案需要使用多種電源轉(zhuǎn)換技術(shù)，來支持用于家庭和辦公室充電器的交流電 (AC) 設(shè)計，以及用于長途旅行充電的直流電 (DC) 快速充電系統(tǒng)。所有類型電動汽車充電器都有一個共同點，就是需要各種接觸器、繼電器、連接器和無源元件，以支持現(xiàn)有的高電壓和電流，并需要采用緊湊的設(shè)...
2023-11-10
電動汽車 充電基礎(chǔ)設(shè)施
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通過碳化硅(SiC)增強電池儲能系統(tǒng)
電池可以用來儲存太陽能和風(fēng)能等可再生能源在高峰時段產(chǎn)生的能量，這樣當(dāng)環(huán)境條件不太有利于發(fā)電時，就可以利用這些儲存的能量。本文回顧了住宅和商用電池儲能系統(tǒng) (BESS) 的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，然后介紹了安森美(onsemi) 的EliteSiC 方案，可作為硅MOSFET 或IGBT開關(guān)的替代方案，改善 BESS 的性能。
2023-11-10
碳化硅 SiC 電池儲能系統(tǒng)
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兆易創(chuàng)新張靜：“半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)波動周期”下的存儲市場發(fā)展趨勢
近日，第11屆EEVIA年度中國硬科技媒體論壇暨產(chǎn)業(yè)鏈研創(chuàng)趨勢展望研討會在深圳隆重開啟。兆易創(chuàng)新存儲器事業(yè)部產(chǎn)品市場經(jīng)理張靜受邀出席，以“持續(xù)開拓，兆易新一代存儲產(chǎn)品助力行業(yè)創(chuàng)新”為題，分享了兆易創(chuàng)新在嵌入式存儲器領(lǐng)域的廣泛布局，以及面向產(chǎn)業(yè)技術(shù)變革浪潮的創(chuàng)新思考，共同探討“半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)...
2023-11-10
存儲 兆易創(chuàng)新 趨勢
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