【導讀】近日，意法半導體（ST）推出首款MDmesh V超結(jié)MOSFET晶體管，擴大其高能效功率產(chǎn)品陣容。該產(chǎn)品采用了創(chuàng)新的4針封裝，增加專用控制輸入。新封裝技術(shù)可提高白色家電、電視、個人電腦、電信設(shè)備和服務(wù)器開關(guān)電源等設(shè)備的功率電路能效。
新的TO247-4 4針封裝提供一個開關(guān)控制專用直接源極針腳，而傳統(tǒng)封裝是開關(guān)和電源共用一個針腳。增加的針腳能夠提高開關(guān)能效，降低開關(guān)損耗，支持更高的開關(guān)頻率，進一步降低電源尺寸。
該封裝是意法半導體與英飛凌的合作開發(fā)成果，英飛凌也推出其新款超結(jié)器件，為客戶選購超結(jié)MOSFET提供了另一個選擇。意法半導體功率晶體管產(chǎn)品部市場總監(jiān)Maurizio Giudice表示：“TO247-4具有很高的成本效益，用于替代標準TO-247 器件時，只需對印刷電路板布局略加修改，從而簡化了該器件在電源系統(tǒng)的應(yīng)用。采用這一封裝的全新意法半導體MDmesh器件可提高工作能效，使終端設(shè)備更加節(jié)能環(huán)保。”
TO247-4封裝集成了實現(xiàn)至源極Kelvin連接的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，這個連接旁通了主電源連接的共源電感，可消除高達60%的開關(guān)損耗，設(shè)計人員可使用更高的開關(guān)頻率和更小的濾波器件。新封裝結(jié)合意法半導體的MDmesh超結(jié)技術(shù)，實現(xiàn)最高的單位硅面積導電效率及最好的總體節(jié)能效果。
圖：意法半導體（ST）首款MDmesh V超結(jié)MOSFET晶體管
此次推出的產(chǎn)品是STW57N65M5-4。作為首款TO247-4封裝的MDmesh產(chǎn)品，STW57N65M5-4可提高主動功率因數(shù)校正（PFC）電路和全橋或半橋功率轉(zhuǎn)換器的能效，適用于各種消費電子和工業(yè)電子產(chǎn)品。
TO247-4封裝的STW57N65M5-4的其他特性：
●高抗噪性，可降低電磁干擾（EMI）敏感度
●增強的額定電壓，可提高安全系數(shù)
●高耐dv/dt能力，可提高可靠性
●100%雪崩測試，可用于耐用性設(shè)計
STW57N65M5-4的供貨信息：
STW57N65M5-4現(xiàn)已量產(chǎn)。
相關(guān)閱讀：
基于鋰電池保護電路中MOSFET選擇的相關(guān)知識
http://ai54.net/cp-art/80019356
MOSFET的選型及應(yīng)用概覽
http://ai54.net/power-art/80012314
什么使得MOSFET性能大打折扣
http://ai54.net/power-art/80019366
